技术新突破，华微电子TRENCH SBD产品正式发布
在新基建的激励之下，市场对电子电力设备的需求越来越强烈，这也给半导体产业发展提供了机遇。作为功率半导体行业的龙头企业，华微电子在半导体领域深耕多年，携带自身优势入局新基建赛道，并在市场的助力之下，向高端领域迈进，发布TRENCH SBD产品，满足客户的更高需求。TRENCH SBD即沟槽-MOS-势垒-肖特基，作为平面肖特基的升级产品，华微电子于2017年开始进行自主产品技术开发，目前已经建立沟槽产品平台，形成产品系列化。TRENCH SBD在平面SBD基础上引入沟槽MOS结构，正向偏置时，表现出肖特基势垒低压降特点，反向偏置下利用其它MOS结构的耦合效应改变漂移区的电场分区，提升了器件的的反向特性，结合低阻外延改善肖特基器件的正反向特性。
在TRENCH SBD产品技术上，包含芯片设计、终端、单胞、阻性场版与金属场版复合终端、Trench。选用势垒可调技术，优化正向压降和反向漏电；高深宽比U形槽刻蚀技术，标准U形结构，侧壁光滑、底角圆滑；高深宽比薄膜氧化淀积技术，沟槽内介质层厚度均匀，多晶硅无空隙淀积；低损伤引线刻蚀技术；对比平面肖特基产品正向压降更低，工作效率高。
华微电子TRENCH SBD产品所有功率器件均为自主研发和生产，产品电压范围为45V-100V、电流范围5A-40A。电压45V，电流10A/20A/30A；电压60V，电流10A/15A/20A/30A；电压100V，电流10A/15A/20A/30A/40A，产品包含TO-220、TO-220HF、TO-263、DPAKM、SMP-1、SMB、DO-201AD、R-6。
其中华微电子光伏沟槽肖特基 45V系列具有如下特点：沟槽结构，低正向压降；温升低；良好的高温特性、热逃逸能力强，可应用在太阳能电池接线盒旁路二极管。沟槽肖特基产品 45V/60V/100V系列产品具有如下特点：沟槽结构，低正向压降；低功率，高效率；良好的高温特性，可应用于充电器、适配器、液晶电视等领域。
吉林华微电子股份有限公司 是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的高新技术企业。经科技部、中科院等国家机构论证，被列为国家级企业技术中心、国家博士后科研工作站、国家创新型企业。
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