新技术如何使MOSFET进军IGBT的应用领域
两个主要类型的功率晶体管：MOSFET和IGBT非常流行，它们在电源系统设计中已经使用了多年，因此，很容易假定它们之间的差异一直保持不变。大致来说，这个假定是正确的：MOSFET支持更快的开关速度和更高的效率，但不太耐用，并具有较低的最大额定电流。而IGBT的开关速度较慢，具有较高的开关损耗和传导损耗，但它更耐用，并能处理更高的峰值电流和连续电流值。选择MOSFET或IGBT的一般规则是不变的，对于大多数应用来说，选择哪种器件更合适是显而易见的。但事实上，由于主要供应商，如意法半导体、安森美半导体和飞兆半导体等不断的产品和技术开发，这两种类型器件一直在不断演变。通过解释最新一代MOSFET和IGBT的工作特性，本文使用户能够更好地了解最能满足应用需求的最合适的器件类型，并解释了目前的功率晶体管选择的灰色区域。
IGBT和MOSFET的发展在很大程度上旨在通过降低开关损耗和传导损耗来提高开关速度和效率。在双极型晶体管中，该方法集中在改善其相对较慢的关断特性，这会引起器件的较大“电流尾巴”。此外，IGBT的制造商致力于降低集电极-发射极饱和电压VCE（sat），它决定了器件的通态电压，即决定了导通损耗。一些早期的IGBT类型的另一个问题是它们的负温度系数，它可能导致热失控：因此很难同时运行多个器件，无法提供高功率输出。
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